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명지대학교 반도체 제조 실습에서, 높은 etch rate에 의한 undercut 이슈 원인을 공정 전체FLOW의 관점에서 분석, 해결하며, 다각도에서 이슈를 바라보고 해결하는 분석력을 길렀습니다. 웨이퍼 cleaning 후 sputtering으로 Cu를 증착시켰습니다. 이후 포토 공정으로 open area를 정의하고, wet etch를 진행했습니다. 현미경으로 샘플을 관찰한 결과 Etch 공정 과정 중 undercut이 발생하여, line 테두리 색이 중심부와 다른 이슈가 발생함을 알았습니다. 원인를 분석하기 위해, Etch 단계의 공정 변수인 온도, 농도 측면에서 원인을 분석했지만, 두 변수 모두 이슈의 주요인이 아니었습니다. 유기적으로 연결된 각 공정 속에서 원인을 찾기가 힘들었기 때문에, 소거법을 이용해 경우의 수를 줄이기로 하였습니다. 각 공정 단계에서 Etch rate에 영향을 미치는 공정 변수를 모두 찾고, 공정 flow를 바탕으로 이슈와 무관한 변수를 하나씩 소거했습니다. 그 결과 sputtering 과정에서 Cu의 Grain size가 커서 Void가 발생했고, 이것이 Etch rate를 높여 undercut이 발생함을 알 수 있었습니다. 이슈 해결 방법을 찾고자 논문을 찾아 공부했고, 공정 중 웨이퍼 로딩부에 열을 가하여 self rearrangement를 통해 void를 축소할 수 있음을 알았습니다. 생산 및 품질 관리시 예기치 못한 이슈가 발생 할 수 있습니다. 입사 후 , 업무 지식을 빠르게 습득하고 꾸준한 자기계발로 저만의 노하우를 쌓겠습니다. 이를 바탕으로 더 넓은 시각으로 이슈를 바라보고, 분석하여 빠른 trouble shooting에 기여하겠습니다.