LG디스플레이

- 성적 : A 4/4.5 - 주요 경험, 습득 지식 1: 포토리소그래피, 식각, 증착 등의 TFT 제작에 필수적인 공정 과정을 학습하며 트랜지스터 제작의 전체적인 흐름을 이해할 수 있었습니다. 2: 단위 공정에서 중요시되는 요소를 학습하며 각 공정에서 발생할 수 있는 문제와 이를 해결하는 기술 등의 지식을 습득했습니다. 3: SRIM, TCAD과 같은 시뮬레이션 프로그램을 이용해 공정 데이터를 도출하고 excel로 정리하여 분석하는 경험을 했습니다.

1: 클린룸에서 포토리소그래피, 식각, 증착 등의 공정을 통해 트랜지스터를 직접 제작하며 단위공정에 대한 이해에서 그치지 않고, 전체 공정을 통합적으로 이해할 수 있었습니다. 2: 제작한 트랜지스터의 I-V 특성을 측정하며 공정상의 분석을 통해 목표 동작 특성이 나오지 않는 문제의 원인을 고찰했습니다. 이를 통해 단위공정 상 발생한 문제가 다른 공정에 미치는 변화를 알 수 있었습니다. 3: 팀원들과 함께 트랜지스터에 발생한 문제의 원인에 대한 가설을 세운 후, 문제의 원인이 된 공정을 개선할 수 있는 방안을 찾기 위해 소통하며 공정장비 엔지니어의 직무를 경험했습니다.

공정장비 엔지니어는 공정 및 불량을 개선하고 단위 공정을 최적화하여 수율을 높이는 역할을 수행합니다. 이와 같은 직무를 수행하기 위해선 제조 공정에 대한 전공지식, 공정 데이터 분석을 위한 역량, 그리고 공정 과정에서 발생하는 이슈의 신속한 원인 파악 및 개선이 가능한 문제해결능력이 필요할 것입니다. 첫 번째로 ‘ULSI 공학’ 과목 중, SRIM, TCAD 등의 시뮬레이션을 사용하여 공정 데이터를 분석하는 경험을 했습니다. 이론으로 학습한 증착, 이온주입, 식각 등의 공정을 시뮬레이션을 이용해 공정 데이터를 도출하였고, 이를 excel을 이용하여 그래프로 정리하는 등의 활동을 했습니다. 이러한 경험은 입사 후 도출된 공정 데이터를 분석/가공하여 유의미한 결과를 도출해내는데 큰 도움이 될 것이라 생각합니다. 두 번째로 ‘반도체 소자 제작 및 특성 분석 과정’ 공정 실습 교육 중, 트랜지스터에 발생한 문제를 팀원들과 함께 분석하며 가설을 세우고 검증하며 문제의 원인을 찾은 경험이 있습니다. 모든 공정을 마친 후 현미경을 통해 트랜지스터를 확인한 결과 4um 이하의 MOSFET의 gate 패턴이 지워진 치명적인 결함을 확인했습니다. 이에 팀원들과 함께 gate가 제거될 가능성이 있는 공정을 찾아 원인을 파악하기 시작했습니다. 그 결과 직접 웨이퍼를 핸들링하여 디벨롭 용액에 집어넣는 과정에서 용액에 먼저 잠긴 부분이 더 많이 디벨롭되어 PR이 제거되었고, 이 부분이 이후의 에칭 공정에서 제거되어 gate가 제거되었다는 가설을 세웠습니다. 이 가설에 의거하여 디벨롭 용액에 먼저 잠기지 않은 부분은 아직 gate의 패턴이 남아있을 것이라 판단했고, 현미경을 통해 웨이퍼의 플랫 존 부근의 다이를 끈기 있게 전부 확인하여 결국 gate 패턴이 남아있는 다이를 발견하며 가설을 검증할 수 있었습니다. 이러한 경험은 공정장비 엔지니어로 공정상 이슈에 대한 신속한 대응과 해결 및 개선을 하는데 큰 도움이 될 것이라 확신합니다.