LG에너지솔루션

5um를 가진 IGBT를 설계하였습니다. 다양한 소자 설계 경험은 설계 툴 사용방법과 몰랐던 소자 동작 특성을 알 수 있게 해주었습니다. 예를 들어, TFET의 pocket doping을 추가하여 TFET의 스위칭 동작이 기존의 Vth보다 더 낮은 지점에서 이뤄지는걸 확인했습니다. ‘반도체공학' 과목의 NAND gate IC Reverse Engineering 프로젝트에서도 리더를 맡아 반도체 소자설계 과목에서 CMOS 소자 시뮬레이션을 통해 얻은 데이터를 활용해 프로젝트를 진행하였습니다. mobility 값의 비율에 따른 PMOS, NMOS의 폭의 비율을 정하여 multifinger mask를 제작하였고 수많은 multifinger CMOS의 균일도 향상을 위해 LPCVD 산화막 형성 방식을 선정하였습니다. 이온주입과 에칭과정은 반도체소자설계에서 얻은 데이터를 활용하였으며 DIP 형태로 설계하였습니다. 다른 사람들과 공정을 설계해보면서 협업능력을 기를 수 있었습니다. 최종적으로 프로젝트를 완수하면서 프로젝트에서 높은 점수를 얻을 수 있었습니다.